工品小编详细说说如何选择IGBT驱动以及IGBT门极驱动电阻如何计算
栅极驱动电压VGE与栅极电阻RG对IGBT的主要影响参见表1。需要一说明的是，这里的IGBT指的是N型IGBT。
如何选择IGBT驱动以及IGBT门极驱动电阻如何计算
表 1 中的内容可以佐证以下值得我们关注的结论。
·1. VGES远不止手册给出的土20V(第3章已指出)，进行实际测定并 留有合适的裕量、选择比较高的栅极正向偏置电压利大于弊。
·2. 增加VGE能够增加IGBT的饱和深度，但大于15V以后对饱和压降的影响也是微乎其微的。
·3. 反向偏置电压的绝对值越高越有利，一般推荐的数值是—5~—15V。实际上，如果确定是安全的，—20V也许更为合适。
·4. 表面上看，RG似乎取比较小的值有利，因为减小dv/dt的问题更为重要——发射极有限流电阻时，还能加强反馈作用，提高IGBT的稳定性。因此，当开关功耗不是主要矛盾时，应该选择比较大的RG，如高压应用场合，就应该选择比较大的RG值。
IGBT是通过门极电容的充放电来控制开通和关断，门极电容的充放电通过门极驱动电阻来控制，门极驱动电阻的大小影响lGBT的开关时间、开关损耗、反向偏压安全工作区、短路安全工作区等，还与电路的EMI、du/dt、di/dt等有着密切的关系，门极驱动电阻的选择是驱动电路设计的重要部分。附表是驱动电阻的变化与驱动电路参数的关系。
如何选择IGBT驱动以及IGBT门极驱动电阻如何计算
从附表可以看出，门极驱动电阻越大，开关损耗和驱动脉冲上升下降时间就越少，相反，减少驱动电阻，开关损耗和脉冲上升下降时间就会增加。门极驱动电流的峰值可以表示为
其中：IGM 是门极驱动电路输出的峰值电流；
VG(on) 正偏压电源电压；
VG(off) 负偏压电源电压；
RG 驱动电路门极电阻；
RG(int) 模块内部的驱动电阻。
总之，IGBT门极驱动电阻可以参考以下要求：
(1)额定电流大的器件门极驱动电阻较小，额定电流小的器件，门极驱动电阻比较大。
(2)驱动电阻的最优选值可以取IGBT手册标注的电阻值的两倍。由于手册标注的电阻往往是最小的电阻，所以可以考虑选取两倍的电阻作为参考电阻，这样可以保证IGBT发生特殊情况时可靠关断。
开通电阻RG(on)往往比关断电阻RG(off)小，一般开通电阻可以取到关断电阻的1/2。
如何选择IGBT驱动以及IGBT门极驱动电阻如何计算
