IGBT爆炸原因分析

时间:2020-2-2 分享到:

一、IGBT爆炸是由于某些原因造成模块损耗大导致热量散不出去,内部温度升高导致的产生气体冲破外壳的爆炸。

二. IGBT爆炸原因分析

1.模块本身内部发热过大

2.其他因素:进出线接错,电源接错,负载大
3.常见原因: (1)过电流 :一种是负载短路,另一种是控制电路处逻辑受干扰,导致上下桥臂元件直通。 (2)绝缘损坏 (3)过电压 :通常是线路杂散电感在极高的di/dt作用下产生的尖峰电压而造成,解决的办法就是设计高性能吸收回路,降低线路杂散电感。 (4)过热 :IGBT不能完全导通,在有电流的情况下元件损耗

增大,温度增加导致损坏。 (5)通讯误码率 a.通讯一段时间后,突然的错误信息导致IGBT误导通使 IGBT爆炸b.通讯板FPGA程序运行不稳定导致IGBT误导通使IGBT爆炸4其他原因(1)电路中过流检测电路反应时间跟不上。

(2)IGBT短路保护是通过检测饱和压降,而留给执行机构的时间一般是10us(8倍过流)在上电的时候容易烧预充电电阻和制动单元里的IGBT。

(3)工艺问题:铜排校着劲、螺丝拧不紧等。

(4)短时电流过大

(5)驱动电源:该隔离加隔离、该滤波加滤波。

(6)电机冲击反馈电压过大导致IGBT爆炸。但对于充电时爆炸的情况发生的概率不是很大。

(7)电机启动时,输入测电压瞬间跌落,电容放电。输入测电压恢复后电容充电时的浪涌电流过大致使IGBT爆炸

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