一、IGBT爆炸是由于某些原因造成模块损耗大导致热量散不出去，内部温度升高导致的产生气体冲破外壳的爆炸。
二. IGBT爆炸原因分析
1.模块本身内部发热过大
2.其他因素：进出线接错，电源接错，负载大
3.常见原因： (1)过电流 ：一种是负载短路，另一种是控制电路处逻辑受干扰，导致上下桥臂元件直通。 (2)绝缘损坏 (3)过电压 ：通常是线路杂散电感在极高的di/dt作用下产生的尖峰电压而造成，解决的办法就是设计高性能吸收回路，降低线路杂散电感。 (4)过热 ：IGBT不能完全导通，在有电流的情况下元件损耗
增大，温度增加导致损坏。 (5)通讯误码率 a.通讯一段时间后，突然的错误信息导致IGBT误导通使 IGBT爆炸b.通讯板FPGA程序运行不稳定导致IGBT误导通使IGBT爆炸4其他原因(1)电路中过流检测电路反应时间跟不上。
(2)IGBT短路保护是通过检测饱和压降，而留给执行机构的时间一般是10us(8倍过流)在上电的时候容易烧预充电电阻和制动单元里的IGBT。
(3)工艺问题：铜排校着劲、螺丝拧不紧等。
(4)短时电流过大
(5)驱动电源：该隔离加隔离、该滤波加滤波。
(6)电机冲击反馈电压过大导致IGBT爆炸。但对于充电时爆炸的情况发生的概率不是很大。
(7)电机启动时，输入测电压瞬间跌落，电容放电。输入测电压恢复后电容充电时的浪涌电流过大致使IGBT爆炸
