为功率MOSFET选择合适的驱动电路，是开关电源、电机控制等系统的核心环节。选型不当可能导致效率低下、发热严重甚至器件损坏。本文聚焦驱动参数匹配、保护机制及热设计等关键维度，提供系统化的选型思路。
一、 核心驱动参数精准匹配
驱动电压与门槛电压
- 驱动电压（Vgs） 必须高于MOS管的门槛电压（Vth） 以确保完全导通，但需严格低于器件标称的最大栅源电压（Vgs max） 防止击穿。
- 通常建议选择留有足够裕量的驱动电压，例如12V或15V驱动方案较常见，需参考具体器件规格书。
驱动电流能力计算
- 驱动电流需求由公式 Qg / (上升时间+下降时间) 估算，其中 Qg（总栅极电荷） 是关键参数（来源：IEEE电力电子学会）。
- 驱动器峰值输出电流需满足开关速度要求，过小的驱动电流会延长开关时间，增加开关损耗。
- 需考虑驱动芯片自身的拉/灌电流能力是否匹配计算值。
二、 寄生参数影响与保护设计
米勒平台效应抑制
- 开关过程中出现的米勒平台（Miller Plateau） 现象会延长导通时间，增加损耗。
- 选择具有足够峰值电流的驱动器可加速渡过米勒平台区。
- 可在栅极串联小阻值电阻（Rg）优化开关速度与抑制振荡，但需权衡损耗。
关键保护功能集成
- 欠压锁定（UVLO）：防止在供电电压不足时误触发MOS管，导致不完全导通发热。
- 互锁逻辑/死区时间控制：桥式电路中防止上下管直通短路的关键功能。
- 过温保护（OTP）：监控驱动芯片温度，防止过热损坏。
三、 布局与散热协同设计
降低回路寄生电感
- 驱动回路（驱动器输出到MOS管栅极再到地）应尽可能短且宽，减小寄生电感。
- 高 di/dt 环路产生的电压尖峰可能引起栅极振荡甚至击穿。
- 使用开尔文连接（Kelvin Connection） 的MOS管封装可分离功率回路与驱动回路，改善驱动信号质量。
驱动芯片功耗与散热考量
- 驱动器自身功耗主要来自：开关损耗（Psw = f_sw * Qg * Vdrive） 和 静态功耗（Quiescent Power）。
- 在高频或驱动多管并联应用时，需评估驱动器芯片功耗，必要时增加散热措施。
- 选择热增强型封装（如带散热焊盘）有助于热量传导。
精确匹配驱动参数、有效抑制寄生效应、集成必要保护功能并优化物理布局，是构建高效可靠MOS管驱动电路的核心。工程师需结合具体应用场景的电压、电流、频率及成本约束，进行系统化权衡设计。
