快速判断MOS管状态是电子维修的关键技能。本文详解万用表测试原理、标准操作步骤及典型故障的应对方案。
一、理解MOS管与测试原理
MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是控制电流的核心开关器件。其三个引脚分别为栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。测试核心在于检测极间寄生二极管特性与栅极电容效应。
万用表二极管档通过输出微小电流检测PN结压降，电阻档可观察栅极电荷释放过程。测试前必须释放人体静电，避免高压击穿栅极氧化层。
二、万用表分步检测操作
步骤1：确定沟道类型
用万用表二极管档触碰MOS管引脚：
– 当红表笔接源极(S)，黑表笔接漏极(D)导通（约0.4-0.8V），则为N沟道MOS管
– 当黑表笔接源极(S)，红表笔接漏极(D)导通，则为P沟道MOS管
步骤2：基础特性测试（以N沟道为例）
- GS间测试：红表笔接G极，黑表笔接S极，正常显示”OL”（超量程）
- GD间测试：红表笔接G极，黑表笔接D极，同样应为”OL”
- 体二极管测试：黑表笔接S极，红表笔接D极，显示二极管压降值；反接应为”OL”
步骤3：触发能力验证
- 红表笔点触G极，黑表笔接S极（充电）
- 立即测试D-S间：红表笔接D，黑表笔接S，应显示低阻值（导通）
- 短接G-S极放电后，D-S间恢复高阻态
注意：P沟道MOS管操作需反转表笔极性
三、常见故障现象与对策
问题1：完全击穿短路
现象：D-S、G-S任意两极间电阻接近0Ω
原因：过压/过流导致硅片熔融
解决：直接更换器件，检查驱动电路
问题2：栅极氧化层击穿
现象：G-S或G-D间呈低电阻（非无限大）
风险：造成控制信号失真
处理：更换MOS管，检查栅极驱动电压是否超标
问题3：开启异常（无法触发）
现象：触发操作后D-S间电阻不下降
排查点：
– 确认万用表电池电量充足
– 重复触发操作并缩短测试间隔
– 检查引脚氧化导致接触不良
| 故障类型 | 典型阻值表现 | 风险等级 |
|—————-|——————–|———-|
| 击穿短路 | 各极间≈0Ω | ⚠️⚠️⚠️ |
| 栅极漏电 | G-S间数百Ω~数kΩ | ⚠️⚠️ |
| 体二极管损坏 | S-D双向不通或异常 | ⚠️ |
四、测试注意事项
测试前务必断开电路供电并放电。对于贴片MOS管，建议使用测试夹避免表笔滑动短路。当测试结果异常时，可并联同型号良品对比验证。
多管并联的模块需拆下单独检测。若检测正常但上电失效，需重点检查驱动波形是否产生电压尖峰（来源：IEEE电力电子学会）。
