三星的5nm EUV只将逻辑密度提升25% 节点命名被质疑

发布时间:2024-12-09

近日,有工程师对三星新发布的三星的5nm EUV的半导体节点命名表示质疑。三星的5nm EUV只是将逻辑密度提升25%,而且还不是整体密度提升,性能提升10%或者功耗下降20%,算了一下三星再一次在半导体节点命名上注水了。

三星的5nm EUV只将逻辑密度提升25% 节点命名被质疑

代工厂总是在穷尽心思的“升级换代”,实际上要N代累积叠加到一起,才算是一代完整的改进。三星的7LPP实际密度多少不太清楚,不过看起来这个5nm (似乎是叫5LPE)还是在Intel的10nm范畴附近,我记得原来这个5LPE原来应该叫做7LPP的,现在的7LPP是原来的7LPE。这个5nm似乎就比Intel的密度稍高一点。

现在工程师质疑三星的5nm,能不能追上Intel的5nm密度,甚至Intel的7nm密度。感觉好像不够,3nm要对比5LPE翻倍才是Intel 7nm的节点。有网友评论,在10纳米时代三星强, 7纳米目前台积电领先,现在就等三星和台积电的euv谁更强。目前7纳米市场谁才是行业龙头,还未下定论。

销售各类正规品牌电容,大量现货库存,24小时内发货、欢迎咨询……*@_@*

咨询热线:135-6483-0031