关于IGBT二极管选型应用如下
lGBT续流二极管一般应选择快速类型的二极管，并且具有良好的软恢复特性。
IGBT续流二极管的正向通态压降 VF也受温度影响，选择IGBT时也需要考虑这一因素。
(2)种类的选择 IGBT续流二极管一般选择高频率的、快速功率型二极管。肖特基二极管一般用于电压小于100V的情况下。因此，主要用于MOSFET。外延生长式二极管一般用于电压范围为100 ~1200V的情况下，因此，可以选择作为IGBT续流二极管。
(1)参数选择IGBT续流二极管在参数选择上主要体现是对换流速度、正向通态压降 VF、反向阻断电压VR,反向恢复时间trr、可重复正向峰值电压VFRM、反向峰值电流IRRM等的选择。
反向阻断电压VR一般是提供25℃条件下的数值，IGBT续流二极管具有随着温度降低，反向阻断能力下降，漏电流也下降的特点。因此，选择反向阻断电压VR需要考虑温度这一影响因素。另外，反向阻断电压VR下的漏电流不得超过临界电流IR。
场效应管和可控硅驱动电路是有本质上的区别，首先场效应管通常分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管，可控硅通常分为单向可控硅和双向可控硅（可控硅也叫晶闸管，可分单向晶闸管和双向晶闸管），其中绝缘栅型场效应管也叫MOS管（有一种场效应管、三极管混合的器件叫IGBT俗称门控管，该器件的驱动电路与场效应管的驱动电路几乎一样），这种驱动属于电压驱动，在大多应用在功率输出、电力变换等场合，要求最好采用PWM（脉宽调制）信号来控制，其输入到栅极的方波上升沿要求陡峭（也称图腾柱输出），并且要有一定的瞬态驱动能力（因为场效应管的栅极等效一个电容，当驱动信号的瞬态功率不够时，其原本的波形将被改变，通常等效为一个积分器），要求导通时，其栅极电压要相对于源极高10-20V左右，典型值15V，而关断时为了保证场效应管关断可靠，该电压此时应该为-15V，在实际应用中为了减小场效应管的功耗过大或防止其损坏一般要加如过流保护和相关吸收电路，并且尽量做到场效应管的工作频率与负载的谐振频率相同，典型应用就是电磁炉，流过炉盘（加热线圈）的电流与流过吸收电容的电流各自虽然都很大，但相位不同，互相抵消，经叠加后的总电流较小，即流过场效应管（实际用IGBT）的电流较小。下图为场效应管的典型驱动电路：
经典的IGBT驱动电路图
而可控硅属电流驱动，因为他等效于两个三极管构成正反馈放大，当有一个触发信号后，由于强大的正反馈作用，使之一直导通，当栅极电压高于阳极电压或者阳极、阴极电压差小于一定数值时正反馈才会失效，即可控硅被复位，一般情况下，其栅极电压不会高于阳极，所以可控硅属于不可关断的半控器件，当触发导通时无法通过栅极关断，而场效应管属全控器件可以通过栅极关断。下图为可控硅结构及其典型驱动电路：
可控硅结构及其典型驱动电路
