英飞凌IGBT选型与FF300R12KS4/2MBI300HH-120-50/FF300R12KT4的区别

时间:2019-6-22 分享到:
英飞凌IGBT选型与FF300R12KS4/2MBI300HH-120-50/FF300R12KT4的区别
问题描述:我公司用的高频感应加热设备原来用的是英飞凌FF300R12KS4的,工作频率就20K到60K之间,我能用FF300R12KT4的来替换吗?替换之后要考虑哪些问题呢?原来设备有4个,坏了一个我是只换一个还是全换成ST4的?
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     答:不建议您换,要换的话需要改的参数很多,我们都知道KS4系列的IGBT饱和压降(Vce)要3V多KT4系列的1.5V左右,所以IGBT过流保护的参数要修改,此外两款IGBT的Qg也不同,有可能要改栅极电阻还有就是KT4上这么高的频率直接替换的话小心炸机,如果必须换建议你其它三个也都替换。整套换的话成本也就提升了,不如买一个新的FF300R12KS4。
    1 、KS4系列是比较新的,况且他是高速模块,跟KE4,KT4不同系列,另外KS4是专门应用在高频感应加热的系列。软开通在20~50KHz。
    2、一般不建议这样替换,需要替换主要是看频率,具体要找供应商FAE解决。
    3、有个建议,可以试试富士的,2MBI300HH-120-50,这款跟FF300R12KT4的参数封装完全对应的,而价格可以有优势。如果是交货有问题或者价格有问题都可以试试,感觉还可以。
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英飞凌600V/650V IGBT系列器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度,减小了MOS沟道的宽度,提高了背面的发射效率。相应地,器件的短路鲁棒性也有了显著的改进。Infineon IGBT模块内部装配技术的最优化提供了显著的能量循环(PC)的改善。这样至少可以确保在PN 结工作结温Tvj,op=150℃时有优秀的PC寿命预期,或者在用户选择较低结温下有更长的PC寿命。650V IGBT4在设计工程师使用时能提供更有效的自由度。该系列目前已经在光伏逆变伺服传动领域得到了广泛的运用。
     英飞凌600V/650V IGBT系列型号资料列表
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 2003年,英飞凌公司提出了使用沟槽和场截止技术的600V IGBT3器件[1],该产品目前仍然是IGBT器件特性的标准。然而,这种600V IGBT3 主要适合小功率应用或者杂散电感很低的大功率应用。在器件开启及关断时,杂散电感与电流变化量的结合影响着器件的电压特性,可以表示为V=L·dI/dt。因此,如果器件关断时电感Lσ较大,过压就会很高。当前,为了给不同电路的大电流应用提供更多的选择,一种全新的芯片——650V IGBT4 已设计完成。

英飞凌600V/650V IGBT系列等效电路图
   注:英飞凌IGBT型号说明,开头两个字母表示含义FZ: 一单元模块;FF:两单元模块(半桥模块);FP:七单元模块(功率集成模块);FD/DF:斩波模块;F4:四单元模块;FS:六单元模块;DD:二极管模块。
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 英飞凌600V/650V IGBT系列发展历程

  与600V IGBT3一样,新的650V IGBT4也是采用了沟槽的MOS-top-cell薄片技术和场截止的概念(如图1 所示),但与600V IGBT3相比,芯片厚度增加了大约15%,并且MOS沟道宽度减小了大约20%(图1中的红色部分),因此通过减小电磁干扰改善了关断时的软度,同时获得了更高的阻断电压能力。沟槽和场截止的结合使通态损耗和关断损耗仍相对较低。当然,上述措施自然也会引起附加的损耗。为了补偿相应的影响,背面发射极的效率增加了50%。 结果,650V IGBT4器件关断时软度得以改善,即正向过冲电压降低,关断电流变化率dI/dt减小;同时阻断电压增加到650V。另一方面,正向电压仍然较低,开关损耗只有适度的增加。
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