英飞凌IGBT选型与FF300R12KS4/2MBI300HH-120-50/FF300R12KT4的区别

问题描述：我公司用的高频感应加热设备原来用的是英飞凌FF300R12KS4的，工作频率就20K到60K之间，我能用FF300R12KT4的来替换吗？替换之后要考虑哪些问题呢？原来设备有4个，坏了一个我是只换一个还是全换成ST4的？

答：不建议您换，要换的话需要改的参数很多，我们都知道KS4系列的IGBT饱和压降（Vce）要3V多KT4系列的1.5V左右，所以IGBT过流保护的参数要修改，此外两款IGBT的Qg也不同，有可能要改栅极电阻还有就是KT4上这么高的频率直接替换的话小心炸机，如果必须换建议你其它三个也都替换。整套换的话成本也就提升了，不如买一个新的FF300R12KS4。

1 、KS4系列是比较新的，况且他是高速模块，跟KE4，KT4不同系列，另外KS4是专门应用在高频感应加热的系列。软开通在20~50KHz。

2、一般不建议这样替换，需要替换主要是看频率，具体要找供应商FAE解决。

3、有个建议，可以试试富士的，2MBI300HH-120-50，这款跟FF300R12KT4的参数封装完全对应的，而价格可以有优势。如果是交货有问题或者价格有问题都可以试试，感觉还可以。

英飞凌IGBT选型与FF300R12KS4/2MBI300HH-120-50/FF300R12KT4的区别

英飞凌600V/650V IGBT系列器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度，减小了MOS沟道的宽度，提高了背面的发射效率。相应地，器件的短路鲁棒性也有了显著的改进。Infineon IGBT模块内部装配技术的最优化提供了显著的能量循环（PC）的改善。这样至少可以确保在PN 结工作结温Tvj,op=150℃时有优秀的PC寿命预期，或者在用户选择较低结温下有更长的PC寿命。650V IGBT4在设计工程师使用时能提供更有效的自由度。该系列目前已经在光伏逆变伺服传动领域得到了广泛的运用。

英飞凌600V/650V IGBT系列型号资料列表

　2003年，英飞凌公司提出了使用沟槽和场截止技术的600V IGBT3器件[1]，该产品目前仍然是IGBT器件特性的标准。然而，这种600V IGBT3 主要适合小功率应用或者杂散电感很低的大功率应用。在器件开启及关断时，杂散电感与电流变化量的结合影响着器件的电压特性，可以表示为V=L·dI/dt。因此，如果器件关断时电感Lσ较大，过压就会很高。当前，为了给不同电路的大电流应用提供更多的选择，一种全新的芯片——650V IGBT4 已设计完成。

英飞凌600V/650V IGBT系列等效电路图
注：英飞凌IGBT型号说明，开头两个字母表示含义FZ：一单元模块；FF：两单元模块(半桥模块)；FP：七单元模块(功率集成模块)；FD/DF：斩波模块；F4：四单元模块；FS：六单元模块；DD：二极管模块。
英飞凌IGBT选型与FF300R12KS4/2MBI300HH-120-50/FF300R12KT4的区别

英飞凌600V/650V IGBT系列发展历程

　与600V IGBT3一样，新的650V IGBT4也是采用了沟槽的MOS-top-cell薄片技术和场截止的概念（如图1 所示），但与600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大约15%，并且MOS沟道宽度减小了大约20%（图1中的红色部分），因此通过减小电磁干扰改善了关断时的软度，同时获得了更高的阻断电压能力。沟槽和场截止的结合使通态损耗和关断损耗仍相对较低。当然，上述措施自然也会引起附加的损耗。为了补偿相应的影响，背面发射极的效率增加了50%。结果，650V IGBT4器件关断时软度得以改善，即正向过冲电压降低，关断电流变化率dI/dt减小；同时阻断电压增加到650V。另一方面，正向电压仍然较低，开关损耗只有适度的增加。

英飞凌IGBT选型与FF300R12KS4/2MBI300HH-120-50/FF300R12KT4的区别