为何SiC和GaN成为功率器件的新焦点？
随着能源效率要求的不断提升，传统硅基功率器件正面临性能瓶颈。宽禁带半导体材料如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）因其优异的物理特性，正在逐步改变功率器件的设计格局。
SiC器件：向高压高功率应用迈进
碳化硅凭借其出色的热导率和击穿电场强度，在电动汽车、工业电源和可再生能源系统中展现出巨大潜力。相较于传统硅器件，SiC MOSFET在开关损耗方面有显著优化。
* Vishay持续投入SiC技术的研发，推出适用于高频和高温环境的封装方案
* 行业预测显示，到2027年全球SiC功率器件市场规模将达到数十亿美元(来源：Yole Développement, 2023)
GaN器件：高频与小型化的关键
氮化镓则以其超高的电子迁移率，成为实现高频开关的理想选择。它特别适用于需要紧凑设计和高转换效率的应用场景，例如服务器电源和通信设备。
* Vishay通过优化GaN器件的封装结构，提升了其在实际工作条件下的稳定性和可靠性
* GaN技术的进步也促使更多设计工程师重新思考电源拓扑结构的创新空间
技术挑战与未来方向
尽管前景广阔，但宽禁带半导体在普及过程中仍面临一些共性挑战：
* 材料成本相对较高
* 制造工艺尚需进一步成熟
* 需要匹配新的驱动和控制策略
为了应对这些挑战，Vishay联合产业链上下游企业，推动标准化进程和技术共享，加速SiC与GaN产品的市场渗透。
结语
从当前趋势来看，SiC和GaN作为下一代功率器件的核心材料，将不断拓展应用场景。Vishay在该领域的持续投入，不仅推动了产品线的升级，也为行业提供了更丰富的系统级解决方案。
