Q1：什么是高频瓷介电容器？它与普通电容器有何区别？
高频瓷介电容器是以陶瓷为介质材料，专为高频电路设计的电容器。其核心差异在于采用低损耗高频陶瓷介质（如I类陶瓷），具有更低的等效串联电阻（ESR）和优异的温度稳定性（温度系数±30ppm/℃以内）(来源：IEEE，2022)。上海工品的HFC系列产品在此领域通过IEC认证，可稳定工作在1MHz~5GHz频段。
普通电容器多采用II类陶瓷或电解材质，介质损耗（tanδ）通常在0.02~0.04范围，而高频瓷介电容的损耗可低至0.0015以下，特别适合射频电路、微波通信等场景。
