西码可控硅R200SH16-21

时间:2019-7-5 分享到:

西码可控硅 N系列相控可控硅、R系列快速可控硅、SM系列

N1314NC300 N1314NC320 N1314NC340
N0392WC120 N0392WC140 N0392WC160
N0491WC020 N0491WC040 N0676YS120 N0676YS140

N570CH30 N570CH32 N570CH34 N570CH36
N170CH12 N170CH14 N170CH16
N195CH12 N195CH14 N195CH16
N275CH02 N275CH04 N275CH06

西码R系列可控硅

R190SH10-14 R200SH16-21 R219SH08-12 R220SH08-12 D350SH24-26

R350SH08-12 R325SH10-14 R355SH08-12
 
IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,其产品水平为1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于变频调速外,600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB,用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB,大大降低电路接线电感,提高系统效率。智能化、模块化成为IGBT发展热点。

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