IGBT功率模块采用IC驱动

IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率。智能化、模块化成为IGBT发展热点。

碳化硅（SiC）器件生产工艺和技术已经日趋成熟，目前市场推广最大的障碍是成本。包括研发和生产成本以及应用中碳化硅器件代换IGBT后整个电路中的驱动电容电阻的成本。除非生产商主推，而且的确能降低成本提高性能。毕竟采用新东西会付出很大代价的。受制于制造成本和产品良率影响，目前阻碍SiC产品大规模进入市场的主要原因是价格昂贵，一般是同类Si产品的10倍左右。虽然说未来随着技术改进和成本下降，碳化硅（SiC）器件取代IGBT是必然碳化硅（SiC）器件，性能上可能是很厉害，但真能成为大势不光要性能上，还要成本上，可靠性上多重保证才行。